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PE42540LGBD-Z

發布時間:2019/10/16 9:14:00 訪問次數:32發布企業:深圳市創寶來科技有限公司

ProductDescription
產品描述

ThePE42540isaHaRPTMtechnology-enhanced
PE42540是一種增強的HaRPTM技術。

absorptiveSP4TRFswitchdevelopedonUltraCMOSprocesstechnology.ThisswitchisdesignedspecificallytosupporttherequirementsofthetestequipmentandATEmarket.ItiscomprisedoffoursymmetricRFportsandhasveryhighisolation.Anon-chipCMOSdecodelogicfacilitatesatwo-pinlowvoltageCMOScontrolinterfaceandanoptionalexternalVssfeature.High
吸收式SP4TRF開關是基于UltraCMOS工藝技術開發的。該開關是專為滿足測試設備和ATE市場的要求而設計的。它由四個對稱射頻端口組成,具有很高的隔離度。一種片上CMOS解碼器,便于兩引腳低壓CMOS控制接口和可選的外部VSS特性。高

ESDtoleranceandnoblockingcapacitorrequirementsmakethistheultimateinintegrationandruggedness.
ESD容限和無阻電容器要求使這是最終的集成和堅固。

ThePE42540ismanufacturedonPeregrine's
PE42540是在Peregrine公司生產的。

UltraCMOSprocess,apatentedvariationofsilicon-on-insulator(SOI)technologyonasapphiresubstrate,offeringtheperformanceofGaAswiththeeconomyandintegrationofconventionalCMOS.
UltraCMOS工藝是藍寶石襯底上絕緣硅(SOI)技術的專利變體,它提供了GaAs的性能和傳統CMOS的經濟性和集成性。
PE42540

UltraCMOSSP4TRFSwitch10Hz-8GHz
超CMOSSP4T射頻開關10Hz-8GHz

Features
特征

.HaRPTMtechnologyenhanced
..強化HaRPTM技術

..Fastsettlingtime
....快速沉降時間

.Eliminatesgateandphaselag
..消除門相滯后

.Nodriftininsertionlossandphase.Highlinearity:58dBmIIP3
..插入損耗和相位無漂移。高線性度:58dBmIIP3

.L.owinsertionloss:[email protected],
..低插入損耗:[email protected]

[email protected]@8GHz.Highisolation:[email protected],
[email protected]@8GHz.高隔離度:[email protected]

[email protected]@8GHz.Maximumpowerhandling:[email protected]
[email protected]@8GHz。最大功率處理:[email protected]

8GHz
8GHz

.HighESDtoleranceof2kVHBMon
..2kVHBM的高ESD容限

RFCand1kVHBMonallotherpins
所有其他引腳上的RFC和1KVHBM

PE42540LGBD-Z

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